IXTT1N250HV-TRL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

RoHS:

Y

Produkt:

Leistungs-MOSFET-Module

Typ:

Hochspannung

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-268S-3

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Verpackung:

Spule

Aufbau:

Single

Marke:

IXYS

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Abfallzeit:

39 ns

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Pd - Verlustleistung:

250 W

Produktart:

Diskrete Halbleitermodule

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

40 Ohms

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

400

Unterkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

132 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

69 ns

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

2500 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Tags

IXTT1N, IXTT1, IXTT, IXT