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NSV20101JT1G

NSV20101JT1G
Mfr. #:
NSV20101JT1G
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
NSV20101JT1G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
NSV20101JT1G DatasheetNSV20101JT1G Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SC-89-3
Polarität des Transistors:
NPN
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
20 V
Kollektor- Basisspannung VCBO:
40 V
Emitter- Basisspannung VEBO:
6 V
Maximaler DC-Kollektorstrom:
2 A
Bandbreitenprodukt fT gewinnen:
350 MHz
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
NSS20101J
Höhe:
0.7 mm
Länge:
1.6 mm
Verpackung:
Spule
Breite:
0.85 mm
Marke:
ON Semiconductor
Pd - Verlustleistung:
300 mW
Produktart:
BJTs - Bipolartransistoren
Qualifikation:
AEC-Q101
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
NSV20, NSV2, NSV
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Semiconductor
20 V, 1.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
***ical
Trans GP BJT NPN 20V 1A Automotive 3-Pin SC-89 T/R
***i-Key
TRANS NPN 20V 1A 89SC3
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
NSV20101JT1G
DISTI # V36:1790_07316749		ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A Automotive 3-Pin SC-89 T/R
RoHS: Compliant		0
  • 3000000:$0.5333
  • 1500000:$0.5336
  • 300000:$0.5691
  • 30000:$0.6355
  • 3000:$0.6468
NSV20101JT1G
DISTI # NSV20101JT1G-ND		ON SemiconductorTRANS NPN 20V 1A 89SC3
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.6468
NSV20101JT1G
DISTI # NSV20101JT1G		ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 3-Pin SC-89 T/R - Bulk (Alt: NSV20101JT1G)
Min Qty: 511
Container: Bulk		Americas - 0
  • 5110:$0.6039
  • 2555:$0.6199
  • 1533:$0.6279
  • 1022:$0.6359
  • 511:$0.6399
NSV20101JT1G
DISTI # NSV20101JT1G		ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 1A 3-Pin SC-89 T/R - Tape and Reel (Alt: NSV20101JT1G)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 30000:$0.5429
  • 18000:$0.5559
  • 12000:$0.5639
  • 6000:$0.5709
  • 3000:$0.5749
NSV20101JT1G
DISTI # 97W6372		ON Semiconductor20V NPN LOW VCE(SAT) / REEL0
  • 30000:$0.5590
  • 18000:$0.5720
  • 12000:$0.5940
  • 6000:$0.6600
  • 3000:$0.7260
  • 1:$0.7570
NSV20101JT1G
DISTI # 863-NSV20101JT1G		ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.4500
  • 10:$1.2400
  • 100:$0.9470
  • 500:$0.8370
  • 1000:$0.6600
  • 3000:$0.5860
  • 9000:$0.5640
NSV20101JT1GON SemiconductorSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
RoHS: Compliant		66000
  • 1000:$0.6500
  • 500:$0.6800
  • 100:$0.7100
  • 25:$0.7400
  • 1:$0.7900
Bild Teil # Beschreibung
NSV20101JT1G

Mfr.#: NSV20101JT1G

OMO.#: OMO-NSV20101JT1G

 Bipolar Transistors - BJT 20V NPN LOW VCE(SAT)
NSV20101JT1G

Mfr.#: NSV20101JT1G

OMO.#: OMO-NSV20101JT1G-ON-SEMICONDUCTOR

 TRANS NPN 20V 1A 89SC3
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Available
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ext. Preis
1
1,45 $
1,45 $
10
1,24 $
12,40 $
100
0,95 $
94,70 $
500
0,84 $
418,50 $
1000
0,66 $
660,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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