RM45P20D3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Rectron

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

19 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

45 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

55 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

80 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Rectron

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

80 S

Abfallzeit:

23 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

42 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

85 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Tags

RM45, RM4