IPS060N03LGAKMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

50 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

30 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

56 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

OptiMOS 3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.38 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

34 S

Abfallzeit:

3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Teil # Aliase:

G IPS060N03L IPS060N03LGXK SP000705724

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPS060N03LG, IPS060, IPS06, IPS0, IPS