FCX495QTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

150 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

170 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.3 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 250 mA, 10 V

Verpackung:

Spule

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

100 at 1 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

FCX495, FCX49, FCX4, FCX