FDD4N60NZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.9 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

8.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

114 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

UniFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Produkt:

MOSFET

Serie:

FDD4N60NZ

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3.4 S

Abfallzeit:

12.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15.1 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12.7 ns

Gewichtseinheit:

0.009184 oz

Tags

FDD4, FDD