CSD18540Q5BT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSON-CLIP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

205 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

41 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

188 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

6 mm

Serie:

CSD18540Q5B

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

116 S

Entwicklungs-Kit:

BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM

Abfallzeit:

3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Gewichtseinheit:

0.000847 oz

Tags

CSD1854, CSD185, CSD18, CSD1, CSD