DMG4511SK4-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

35 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.3 A, 5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

65 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

18.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.54 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMG4511

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.5 S

Abfallzeit:

35.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.8 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.4 ns

Tags

DMG45, DMG4, DMG