SPU09P06PL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

400 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

14 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

42 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

2.38 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.8 S

Abfallzeit:

89 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

168 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

49 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

SPU0, SPU