NTHD3100CT3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ChipFET-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

77 mOhms, 85 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V, 8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.05 mm

Länge:

3.05 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.65 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6 S, 8 S

Abfallzeit:

10.7 ns, 11.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10.7 ns, 11.7 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

9.6 ns, 16 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.3 ns, 5.8 ns

Gewichtseinheit:

0.002998 oz

Tags

NTHD3100CT, NTHD3100, NTHD310, NTHD3, NTHD, NTH