NTUD3169CZT5G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-963-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

280 mA, 200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 Ohms, 10 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V, - 1.5 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.37 mm

Länge:

1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

NTUD3169CZ

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

Kleinsignal-MOSFET

Breite:

0.8 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.48 S, 0.35 S

Abfallzeit:

80 ns, 145 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25.5 ns, 46 ns

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

142 ns, 196 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16.5 ns, 26 ns

Gewichtseinheit:

0.000042 oz

Tags

NTUD3169CZT, NTUD316, NTUD3, NTUD, NTU