PMZ370UNEYL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-1006-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

900 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

370 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

770 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

770 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

360 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.5 mm

Länge:

1.02 mm

Produkt:

MOSFET

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Trench-MOSFET

Breite:

0.62 mm

Marke:

Nexperia

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1580 mS

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

54 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.000028 oz

Tags

PMZ37, PMZ3, PMZ