KSD1273P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

E

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220F-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

30 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

2500

Höhe:

9.19 mm

Länge:

10.16 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

500

Pd - Verlustleistung:

2000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

200

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.080072 oz

Tags

KSD1273P, KSD127, KSD12, KSD1, KSD