FDG6313N

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-70-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

500 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

340 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

FET

Breite:

1.25 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.45 S

Abfallzeit:

8.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Teil # Aliase:

FDG6313N_NL

Gewichtseinheit:

0.000194 oz

Tags

FDG6313, FDG631, FDG63, FDG6, FDG