NVA4153NT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-416-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

915 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

127 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

450 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

6 V

Qg - Gate-Ladung:

1.82 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.4 S

Abfallzeit:

7.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.7 ns

Gewichtseinheit:

0.000212 oz

Tags

NVA4, NVA