FQI9N08LTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

80 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

210 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

3.75 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

7.88 mm

Länge:

10.29 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.83 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

30 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

180 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.5 ns

Gewichtseinheit:

0.084199 oz

Tags

FQI9N0, FQI9N, FQI9, FQI