IXFN44N100P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Chassishalterung

Paket / Koffer:

SOT-227-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

37 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

220 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

6.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

305 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

890 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

12.22 mm

Länge:

38.23 mm

Serie:

IXFN44N100

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Polar Leistungs-MOSFET HiPerFET

Breite:

25.42 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

20 S

Abfallzeit:

54 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

68 ns

Werkspackungsmenge:

10

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

60 ns

Gewichtseinheit:

1.058219 oz

Tags

IXFN44, IXFN4, IXFN, IXF