BSO207P H

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

32 mOhms, 32 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

- 16 nC, - 16 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

OptiMOS P

Transistortyp:

2 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

10 S, 10 S

Abfallzeit:

35 ns, 35 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

22 ns, 22 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns, 33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns, 9 ns

Teil # Aliase:

BSO207PHXUMA1 BSO27PHXT SP000613832

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

BSO207PH, BSO207, BSO20, BSO2, BSO