BUT11TU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

400 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

850 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

9 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

5 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BUT11

Höhe:

9.4 mm (Max)

Länge:

10.1 mm (Max)

Breite:

4.7 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

5 A

Pd - Verlustleistung:

100 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

BUT11TU_NL

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

BUT11, BUT1, BUT