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GTVA107001EC-V1-R0

GTVA107001EC-V1-R0
Mfr. #:
GTVA107001EC-V1-R0
Hersteller:
N/A
Beschreibung:
RF JFET Transistors GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
GTVA107001EC-V1-R0 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
GTVA107001EC-V1-R0 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Cree, Inc.
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
18 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
150 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
- 10 V to 2 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
10 A
Ausgangsleistung:
890 W
Maximale Drain-Gate-Spannung:
-
Montageart:
Schraubbefestigung
Paket / Koffer:
H-36248-2
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
960 MHz to 1.215 GHz
Marke:
Wolfspeed / Cree
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
Transistoren
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
- 3 V
Tags
GTVA10, GTVA1, GTVA, GTV
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Packaging Boxes
GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT
Wolfspeed / Cree GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT are 50V High Electron Mobility Transistors (HEMT) based on Gallium-Nitride on Silicon Carbide technology. GaN on SiC devices offer high power density coupled with a high breakdown voltage, enabling highly efficient power amplifiers. The GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT feature input matching, high efficiency, and thermally-enhanced packages. These Pulsed/CW (Continuous Wave) devices have a pulse width of 128µs and a duty cycle of 10%.
Bild Teil # Beschreibung
GTVA107001EC-V1-R0

Mfr.#: GTVA107001EC-V1-R0

OMO.#: OMO-GTVA107001EC-V1-R0

 RF JFET Transistors GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
GTVA107001EC-V1-R250

Mfr.#: GTVA107001EC-V1-R250

OMO.#: OMO-GTVA107001EC-V1-R250

 RF JFET Transistors GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Verfügbarkeit
Aktie:
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Auf Bestellung:
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