IXTF1N250

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

ISOPLUS-i4-PAK-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

2.5 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

40 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

41 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

110 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

IXTF1N250

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.8 mS

Abfallzeit:

39 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

132 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

69 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

IXTF1N, IXTF1, IXTF, IXT