SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3
Mfr. #:
SIB411DK-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 20V 9.0A 13W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIB411DK-T1-GE3 Datenblatt
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SIB41, SIB4, SIB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
***ark
P CHANNEL MOSFET, -20V, 9A, SC-75, FULL REEL
***i-Key
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
***nell
MOSFET, P, PPAK SC-75; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:2.4W; Transistor Case Style:SC-75; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Max:150°C; MSL:MSL 1 - Unlimited; Current Id Max:-9A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Rise Time:40ns; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:1V; Voltage Vgs th Min:0.4V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIB411DK-T1-GE3
DISTI # SIB411DK-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIB411DK-T1-GE3
    DISTI # 781-SIB411DK-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 9.0A 13W
    RoHS: Compliant
    0
      SIB411DK-T1-GE3Vishay Intertechnologies 2820
        Bild Teil # Beschreibung
        SIB411DK-T1-E3

        Mfr.#: SIB411DK-T1-E3

        OMO.#: OMO-SIB411DK-T1-E3

        MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIB441EDK-T1-GE3
        SIB411DK-T1-GE3

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        IGBT Transistors MOSFET 20V 9.0A 13W
        SIB411DK-T1-E3

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        OMO.#: OMO-SIB411DK-T1-E3-VISHAY

        MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
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