BSM50GD120DN2E3226

BSM50GD120DN2E3226
Mfr. #:
BSM50GD120DN2E3226
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSM50GD120DN2E3226 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
IGBT-Module
Produkt:
IGBT Silizium Module
Aufbau:
Verhexen
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
50 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
200 nA
Pd - Verlustleistung:
350 W
Paket / Koffer:
EconoPACK 2
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Tablett
Höhe:
17 mm
Länge:
107.5 mm
Breite:
45.5 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Montageart:
Chassishalterung
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
10
Unterkategorie:
IGBTs
Teil # Aliase:
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 SP000100366
Tags
BSM50GD120DN2E3, BSM50GD120DN2E, BSM50GD120DN, BSM50GD120D, BSM50GD12, BSM50GD1, BSM50GD, BSM50G, BSM5, BSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ser
IGBT - Standard Modules 1200V 50A 3-PHASE
***omponent
IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A, Power module, 3-phase full-bridge, including fast free-wheel diodes, package with insulated metal base plate, E3226: long terminals, limited currect per terminal
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
DISTI # BSM50GD120DN2E3226BOSA1-ND
Infineon Technologies AGIGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
Limited Supply - Call
  • 10:$134.4000
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
DISTI # BSM50GD120DN2E3226BOSA1
Infineon Technologies AGTrans IGBT Module N-CH 1.2kV 50A nom 350W FL Bridge T/R - Trays (Alt: BSM50GD120DN2E3226BOSA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
Americas - 0
  • 10:$130.7900
  • 20:$125.9900
  • 40:$121.4900
  • 60:$117.3900
  • 100:$115.2900
BSM50GD120DN2E3226
DISTI # 641-BSM50GD120DN2E32
Infineon Technologies AGIGBT Modules N-CH 1.2KV 50A0
    Bild Teil # Beschreibung
    BSM50GD120D2

    Mfr.#: BSM50GD120D2

    OMO.#: OMO-BSM50GD120D2-1190

    Neu und Original
    BSM50GD120DCL

    Mfr.#: BSM50GD120DCL

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DCL-1190

    Neu und Original
    BSM50GD120DLCE3224

    Mfr.#: BSM50GD120DLCE3224

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DLCE3224-1190

    Neu und Original
    BSM50GD120DLCE3256

    Mfr.#: BSM50GD120DLCE3256

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DLCE3256-1190

    Neu und Original
    BSM50GD120N2

    Mfr.#: BSM50GD120N2

    OMO.#: OMO-BSM50GD120N2-1190

    Neu und Original
    BSM50GD120DLCBOSA1

    Mfr.#: BSM50GD120DLCBOSA1

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DLCBOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    Trans IGBT Module N-CH
    BSM50GD120DN2E3226BOSA1

    Mfr.#: BSM50GD120DN2E3226BOSA1

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DN2E3226BOSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
    BSM50GD120DN2G

    Mfr.#: BSM50GD120DN2G

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DN2G-INFINEON-TECHNOLOGIES

    IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
    BSM50GD120DN2

    Mfr.#: BSM50GD120DN2

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DN2-125

    IGBT Modules 1200V 50A FL BRIDGE
    BSM50GD120DLC

    Mfr.#: BSM50GD120DLC

    OMO.#: OMO-BSM50GD120DLC-125

    IGBT Modules 1200V 50A 3-PHASE
    Verfügbarkeit
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    Available
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    1
    138,89 $
    138,89 $
    5
    136,16 $
    680,80 $
    10
    129,81 $
    1 298,10 $
    25
    127,09 $
    3 177,25 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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