FDMD8560L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Power 5 x 6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

22 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.4 mOhms, 5.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

92 nC, 92 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

FDMD8560L

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

98 S, 98 S

Abfallzeit:

11 ns, 11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns, 15 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

57 ns, 57 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns, 20 ns

Gewichtseinheit:

0.003346 oz

Tags

FDMD85, FDMD, FDM