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TK380A60Y,S4X

TK380A60Y,S4X
Mfr. #:
TK380A60Y,S4X
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK380A60Y,S4X Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK380A60Y,S4X DatasheetTK380A60Y,S4X Datasheet (P4-P6)TK380A60Y,S4X Datasheet (P7-P9)TK380A60Y,S4X Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK380A60Y,S4X Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220SIS-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
9.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
290 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
20 nC
Minimale Betriebstemperatur:
-
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
30 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSV
Verpackung:
Rohr
Serie:
TK380A60Y
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
8.2 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
23 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
150 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
60 ns
Gewichtseinheit:
0.068784 oz
Tags
TK380A60, TK380A, TK380, TK38, TK3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ark
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor To-220Sis Pd=30W F=1Mhz Rohs Compliant: Yes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
***et
Power MOSFET N-Channel 600V 9.7A 3-Pin SC-67 Tube
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
DTMOS V Super Junction MOSFETs
Toshiba DTMOS V Super Junction MOSFETs are the next generation of N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOS V operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On Resistance RDS(ON) compared to the DTMOS IV MOSFETs. The DTMOS V has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOS V Super Junction MOSFETs are ideal to improve the performance, and facilitate the design of power conversion applications. Applications that include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting. Learn More
Bild Teil # Beschreibung
KBP308G-BP

Mfr.#: KBP308G-BP

OMO.#: OMO-KBP308G-BP

 Bridge Rectifiers 3A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
STTH20R04FP

Mfr.#: STTH20R04FP

OMO.#: OMO-STTH20R04FP

 Rectifiers High Effecientcy Rectifier
INN3268C-H209-TL

Mfr.#: INN3268C-H209-TL

OMO.#: OMO-INN3268C-H209-TL

 AC/DC Converters CV/CC 650V / 725V 45W 50W 40W 45W
64900001039

Mfr.#: 64900001039

OMO.#: OMO-64900001039

 Fuse Holder PC MOUNT 5 X 20 MM
64900001039

Mfr.#: 64900001039

OMO.#: OMO-64900001039-LITTELFUSE

 Fuse Holder PC MOUNT 5 X 20 MM
B66359X1014T001

Mfr.#: B66359X1014T001

OMO.#: OMO-B66359X1014T001-EPCOS

 EMI/RFI Suppressors & Ferrites Ferrite Cores & Accessories COIL FORMER RYNITE FR 530
INN3268C-H209-TL

Mfr.#: INN3268C-H209-TL

OMO.#: OMO-INN3268C-H209-TL-POWER-INTEGRATIONS

 IC OFFLINE SWITCH SR CONTROL
CA11267_HEIDI-O-90

Mfr.#: CA11267_HEIDI-O-90

OMO.#: OMO-CA11267-HEIDI-O-90-LEDIL

 LED Lighting Lenses Single Lens
B32653A7104K000

Mfr.#: B32653A7104K000

OMO.#: OMO-B32653A7104K000-EPCOS

 CAP, 0.1F, 1.25 KV, 10%, PP
AC002021

Mfr.#: AC002021

OMO.#: OMO-AC002021-MICROCHIP-TECHNOLOGY

 CABLE MPLAB PM3 ICSP
Verfügbarkeit
Aktie:
143
Auf Bestellung:
2126
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10
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11,20 $
100
0,86 $
86,10 $
500
0,76 $
380,50 $
1000
0,60 $
600,00 $
2500
0,53 $
1 330,00 $
10000
0,51 $
5 130,00 $
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