DMP3018SFVQ-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerDI3333-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

35 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

12 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

51 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

30 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

42.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

19.9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

57.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.8 ns

Gewichtseinheit:

0.001058 oz

Tags

DMP3018SFV, DMP3018SF, DMP3018, DMP301, DMP30, DMP3, DMP