IPI60R250CPAKSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

250 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

26 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

104 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.45 mm

Länge:

10.2 mm

Serie:

XPI60R250

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

17 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

110 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

40 ns

Teil # Aliase:

IPI60R250CP SP000358141

Gewichtseinheit:

0.073511 oz

Tags

IPI60R2, IPI60R, IPI60, IPI6, IPI