IPB70P04P4-09

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

70 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.1 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

54 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

75 W

Aufbau:

Single

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

OptiMOS-P2

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

31 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

24 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Teil # Aliase:

IPB70P04P409ATMA1 IPB7P4P49XT SP000735964

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPB70, IPB7, IPB