CMNDM8001 TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Zentraler Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-953

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

658 pC

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

250 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

CMNDM

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

Zentraler Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

100 mS

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

35 ns

Teil # Aliase:

CMNDM8001 PBFREE TR

Tags

CMNDM, CMND, CMN