QPD1014SR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Qorvo

Produktkategorie:

HF-JFET-Transistoren

RoHS:

Y

Transistortyp:

HEMT

Technologie:

GaN SiC

Gewinnen:

18.4 dB

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:

145 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Ausgangsleistung:

12.5 W

Maximale Drain-Gate-Spannung:

55 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 85 C

Pd - Verlustleistung:

15.8 W

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-8

Verpackung:

Spule

Arbeitsfrequenz:

30 MHz to 1200 MHz

Serie:

QPD1014

Marke:

Qorvo

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Entwicklungs-Kit:

QPD1014EVB01

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

HF-JFET-Transistoren

Werkspackungsmenge:

100

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

QPD1014

Tags

QPD101, QPD10, QPD1, QPD