SI7382DP-T1-E3

SI7382DP-T1-E3
Mfr. #:
SI7382DP-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7382DP-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7382DP-E3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
1.8 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
16 ns
Anstiegszeit
16 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
14 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
4.7 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
67 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
18 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7382D, SI7382, SI738, SI73, SI7
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***
N-CH FAST SWITCH WFET
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7382DP-T1-E3
DISTI # SI7382DP-T1-E3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI7382DP-T1-E3
    DISTI # 781-SI7382DP-T1-E3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      SI7382DP-T1-GE3

      Mfr.#: SI7382DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7382DP-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V
      SI7382DP-T1-E3

      Mfr.#: SI7382DP-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7382DP-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V
      SI7382DP

      Mfr.#: SI7382DP

      OMO.#: OMO-SI7382DP-1190

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