ZXTN25012EZTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

12 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

20 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

38 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

6.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

260 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXTN250

DC-Stromverstärkung hFE Max:

1500 at 10 mA, 2 V

Höhe:

1.6 mm

Länge:

4.6 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.6 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

6.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

30 at 15 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

4460 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.004603 oz

Tags

ZXTN25012, ZXTN2501, ZXTN250, ZXTN25, ZXTN2, ZXTN, ZXT