SI4646DY-T1-GE3

SI4646DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4646DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 12A 6.25W 11.5mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4646DY-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI4646DY-GE3
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOIC-Narrow-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single mit Schottky-Diode
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
6.25 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
12 ns
Anstiegszeit
13 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
12 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
11.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
29 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
23 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI464, SI46, SI4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
TransMOSFETNCH30V12A8PinSOICNTR
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4646DY-T1-GE3
DISTI # SI4646DY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI4646DY-T1-GE3
    DISTI # 781-SI4646DY-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 12A 6.25W 11.5mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      SI4646DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4646DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4646DY-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
      SI4646DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4646DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4646DY-T1-E3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
      SI4646DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4646DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4646DY-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 12A 6.25W 11.5mohm @ 10V
      SI4646DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4646DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4646DY-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 12A 6.25W 11.5mohm @ 10V
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      1000
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von SI4646DY-T1-GE3 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Referenzpreis (USD)
      Menge
      Stückpreis
      ext. Preis
      1
      0,00 $
      0,00 $
      10
      0,00 $
      0,00 $
      100
      0,00 $
      0,00 $
      500
      0,00 $
      0,00 $
      1000
      0,00 $
      0,00 $
      Beginnen mit
      Top