CGH60015D-GP4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Cree, Inc.

Produktkategorie:

HF-JFET-Transistoren

RoHS:

Y

Transistortyp:

HEMT

Technologie:

GaN

Gewinnen:

15 dB

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

120 V

Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:

- 10 V to 2 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Ausgangsleistung:

15 W

Maximale Drain-Gate-Spannung:

-

Minimale Betriebstemperatur:

-

Maximale Betriebstemperatur:

-

Pd - Verlustleistung:

-

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

sterben

Verpackung:

Waffel

Anwendung:

-

Aufbau:

Single

Höhe:

100 um

Länge:

1.06 mm

Arbeitsfrequenz:

4 GHz to 6 GHz

Betriebstemperaturbereich:

-

Produkt:

GaN HEMT

Breite:

920 um

Marke:

Wolfspeed / Cree

Gate-Source-Abschaltspannung:

-

Klasse:

-

Entwicklungs-Kit:

-

Abfallzeit:

-

NF - Rauschzahl:

-

P1dB - Kompressionspunkt:

-

Produktart:

HF-JFET-Transistoren

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 Ohms

Anstiegszeit:

-

Werkspackungsmenge:

10

Unterkategorie:

Transistoren

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

-

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 3 V

Tags

CGH600, CGH60, CGH6, CGH