DMC2057UVT-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A, 3.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

42 mOhms, 70 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV, 1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V, 8 V

Qg - Gate-Ladung:

10.5 nC, 6.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

3.1 ns, 22.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.3 ns, 15.5 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12.2 ns, 38.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.6 ns, 4.4 ns

Gewichtseinheit:

0.000459 oz

Tags

DMC205, DMC20, DMC2, DMC