RSQ020N03TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-457T-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

96 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

2.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

RSQ020N03

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

16 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Teil # Aliase:

RSQ020N03

Tags

RSQ020, RSQ02, RSQ0, RSQ