HFA3127RZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Renesas Elektronik

Produktkategorie:

HF-Bipolartransistoren

RoHS:

Y

Serie:

HFA3127

Transistortyp:

Bipolar

Technologie:

Si

Polarität des Transistors:

NPN

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

8 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5.5 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.065 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 125 C

Aufbau:

Quint

Paket / Koffer:

QFN-EP

Verpackung:

Rohr

Kollektor- Basisspannung VCBO:

12 V

DC-Stromverstärkung hFE Max:

40 at 10 mA at 2 V

Höhe:

0.95 mm (Max)

Länge:

3 mm

Arbeitsfrequenz:

8000 MHz (Typ)

Typ:

Bipolares HF-Kleinsignal

Breite:

3 mm

Marke:

Renesas / Intersil

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

8000 MHz (Typ)

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.065 A

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Produktart:

HF-Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

100

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000847 oz

Tags

HFA3127R, HFA3127, HFA312, HFA31, HFA3, HFA