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SI7328DN-T1-GE3

SI7328DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7328DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7328DN-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7328DN-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAK-1212-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
3.78 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 50 C
Abfallzeit
8 ns
Anstiegszeit
10 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
18.9 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
6.6 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
35 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
10 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7328, SI732, SI73, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 30 V 0.0066 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A POWERPAK
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
***
30-V (D-S) N-CHANNEL
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:35000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0076ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:3.78W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7328DN-T1-GE3
DISTI # SI7328DN-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.0395
SI7328DN-T1-GE3
DISTI # SI7328DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7328DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.8889
  • 6000:$0.8629
  • 12000:$0.8279
  • 18000:$0.8049
  • 30000:$0.7829
SI7328DN-T1-GE3
DISTI # SI7328DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SI7328DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Asia - 0
    SI7328DN-T1-GE3
    DISTI # 781-SI7328DN-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		0
      SI7328DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10VAmericas -
        SI7328DN-T1-GE3
        DISTI # 2478971        		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 35A POWERPAK
        RoHS: Compliant        		0
        • 3000:£0.9230
        • 6000:£0.9000
        SI7328DN-T1-GE3
        DISTI # 2478971        		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 35A POWERPAK
        RoHS: Compliant        		0
        • 3000:$1.6500
        Bild Teil # Beschreibung
        SI7328DN-T1-GE3

        Mfr.#: SI7328DN-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI7328DN-T1-GE3

        		 MOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V
        SI7328DN-T1-E3

        Mfr.#: SI7328DN-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI7328DN-T1-E3

        		 MOSFET 30V 35A 52W
        SI7328DN-T1-E3

        Mfr.#: SI7328DN-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI7328DN-T1-E3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 35A 52W
        SI7328DN-T1-GE3

        Mfr.#: SI7328DN-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI7328DN-T1-GE3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V
        SI7328DN-T1-GE3-CUT TAPE

        Mfr.#: SI7328DN-T1-GE3-CUT TAPE

        OMO.#: OMO-SI7328DN-T1-GE3-CUT-TAPE-1190

        		 Neu und Original
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        Available
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        5500
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        100
        1,09 $
        108,80 $
        500
        1,03 $
        513,75 $
        1000
        0,97 $
        967,10 $
        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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