IXKH20N60C5

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

180 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

32 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

COOLMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.45 mm

Länge:

16.24 mm

Serie:

IXKH20N60

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

CoolMOS Leistungs-MOSFET

Breite:

5.3 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

IXKH, IXK