IPS031N03L G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

90 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.4 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

94 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.38 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

100 S

Abfallzeit:

5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

34 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Teil # Aliase:

IPS031N03LGAKMA1 IPS031N03LGXK SP000788214

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPS031N03LG, IPS031N, IPS031, IPS03, IPS0, IPS