NDS335N

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SSOT-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

140 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.12 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.4 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

29 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

29 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Teil # Aliase:

NDS335N_NL

Gewichtseinheit:

0.001058 oz

Tags

NDS335N, NDS335, NDS33, NDS3, NDS