STW80NE06-10

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

10 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

250 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

20.15 mm

Länge:

15.75 mm

Serie:

STW80N

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

75 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

150 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Einschaltverzögerungszeit:

50 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

STW80NE, STW80N, STW80, STW8, STW