ZDT1053TC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SM-8

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

75 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

150 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

140 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

260

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

260 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 150 at 2 A, 2 V, 30 at 5 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

2.75 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZDT105, ZDT10, ZDT1, ZDT