ZDT649TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SM-8

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

25 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

35 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

240 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

1.6 mm (Max)

Länge:

6.7 mm (Max)

Verpackung:

Spule

Breite:

3.7 mm (Max)

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

2 A

Pd - Verlustleistung:

2.75 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZDT64, ZDT6, ZDT