QS5U34TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSMT-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

130 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

1.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

700 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

QS5U34

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Teil # Aliase:

QS5U34

Tags

QS5U3, QS5U, QS5