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TK12A55D(STA4,Q,M)

TK12A55D(STA4,Q,M)
Mfr. #:
TK12A55D(STA4,Q,M)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK12A55D(STA4,Q,M) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK12A55D(STA4,Q,M) DatasheetTK12A55D(STA4,Q,M) Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK12A55D(STA4,Q,M) Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220FP-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
550 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
570 mOhms
Pd - Verlustleistung:
45 W
Aufbau:
Single
Handelsname:
DTMOSIV
Höhe:
15 mm
Länge:
10 mm
Serie:
TK12A55D
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Toshiba
Produktart:
MOSFET
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
TK12A55D(S, TK12A55, TK12A5, TK12A, TK12, TK1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
***
POWER MOSFET TRANSISTOR
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TK12A55D(STA4,Q,M)
DISTI # TK12A55D(STA4QM)-ND		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS
RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 50:$2.5246
TK12A55D(STA4,Q,M)
DISTI # TK12A55D(STA4,Q,M)		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS - Rail/Tube (Alt: TK12A55D(STA4,Q,M))
RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Container: Tube		Americas - 0
  • 50:$1.3900
  • 100:$1.2900
  • 200:$1.1900
  • 300:$1.1900
  • 500:$1.0900
TK12A55D(STA4,Q,M)
DISTI # 757-TK12A55DSTA4QM		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57
RoHS: Compliant		0
  • 1:$2.8500
  • 10:$2.3000
  • 100:$1.8400
  • 500:$1.6100
  • 1000:$1.3400
  • 2500:$1.2400
  • 5000:$1.2000
TK12A55D(STA4,Q,M)Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57
RoHS: Compliant		Americas -
    TK12A55D(STA4QM)Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
    RoHS: Compliant    		Americas -
      Bild Teil # Beschreibung
      TK12A55D(STA4,Q,M)

      Mfr.#: TK12A55D(STA4,Q,M)

      OMO.#: OMO-TK12A55D-STA4-Q-M-

      		 MOSFET N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57
      TK12A55D(STA4,Q,M)

      Mfr.#: TK12A55D(STA4,Q,M)

      OMO.#: OMO-TK12A55D-STA4-Q-M--TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

      		 MOSFET N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57
      TK12A55D(STA4QM)

      Mfr.#: TK12A55D(STA4QM)

      OMO.#: OMO-TK12A55D-STA4QM--1190

      		 MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR
      TK12A55D(STA4QM)-ND

      Mfr.#: TK12A55D(STA4QM)-ND

      OMO.#: OMO-TK12A55D-STA4QM--ND-1190

      		 Neu und Original
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      23,00 $
      100
      1,84 $
      184,00 $
      500
      1,61 $
      805,00 $
      1000
      1,34 $
      1 340,00 $
      2500
      1,24 $
      3 100,00 $
      5000
      1,20 $
      6 000,00 $
      10000
      1,15 $
      11 500,00 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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