SSM3J356R,LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23F-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

400 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4 V

Qg - Gate-Ladung:

8.3 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

SSM3J356

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.3 mm

Marke:

Toshiba

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

4.7 S

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

48 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

29 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

SSM3J35, SSM3J3, SSM3J, SSM3, SSM