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IPS105N03L G

IPS105N03L G
Mfr. #:
IPS105N03L G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 30V 35A IPAK-3 OptiMOS 3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPS105N03L G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Infineon-Technologien
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Serie
OptiMOS 3
Verpackung
Rohr
Teil-Aliasnamen
IPS105N03LGAKMA1 SP000788218
Gewichtseinheit
0.139332 oz
Montageart
Durchgangsloch
Handelsname
OptiMOS
Paket-Koffer
IPAK-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
38 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 175 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
2.4 ns
Anstiegszeit
14 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
35 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
10.5 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
14 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
3.7 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IPS105N03LG, IPS105N, IPS105, IPS10, IPS1, IPS
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
MOSFET, N CH, 35A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-251
***ronik
N-CH 30V 35A 11mOhm TO251-3 RoHSconf
***nell
MOSFET, N CH, 35A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 35A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0088ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Power Dissipation Pd: 38W; Transistor Case Style: TO-251; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max: 35A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vgs Max: 20V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPS105N03LGAKMA1
DISTI # IPS105N03LGAKMA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 35A TO251-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPS105N03LGInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
    RoHS: Compliant    		18615
    • 1000:$0.2100
    • 500:$0.2200
    • 100:$0.2300
    • 25:$0.2400
    • 1:$0.2500
    IPS105N03LGAKMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
    RoHS: Compliant    		27000
    • 1000:$0.2200
    • 500:$0.2300
    • 100:$0.2400
    • 25:$0.2500
    • 1:$0.2700
    IPS105N03L G
    DISTI # 726-IPS105N03LG    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 30V 35A IPAK-3 OptiMOS 3
    RoHS: Compliant    		0
      Bild Teil # Beschreibung
      IPS1051L

      Mfr.#: IPS1051L

      OMO.#: OMO-IPS1051L-1190

      		 IC, MOSFET, IPS, SOT-223
      IPS1051LPBF

      Mfr.#: IPS1051LPBF

      OMO.#: OMO-IPS1051LPBF-1190

      		 MOSFET, Power, N-Ch, RDS(ON) 160 Milliohms, ID 1.4A, SOT-223, PD 2W, 3us td(on), -40deg
      IPS1051LTRPBF

      Mfr.#: IPS1051LTRPBF

      OMO.#: OMO-IPS1051LTRPBF-1190

      		 INTELLIGENT POWER SWITCH SINGLE/DUAL CHANNEL LOW SIDE DRIVER IN A SOT-223 PACKAG
      IPS1052G

      Mfr.#: IPS1052G

      OMO.#: OMO-IPS1052G-1190

      		 Neu und Original
      IPS1052GPBF

      Mfr.#: IPS1052GPBF

      OMO.#: OMO-IPS1052GPBF-1190

      		 MOSFET, Power, N-Ch, RDS(ON) 160 Milliohms, SO-8, PD 1.25W, 3us td(on), 15us td(off)
      IPS1052GTR

      Mfr.#: IPS1052GTR

      OMO.#: OMO-IPS1052GTR-1190

      		 Neu und Original
      IPS105N03L

      Mfr.#: IPS105N03L

      OMO.#: OMO-IPS105N03L-1190

      		 Neu und Original
      IPS105N03LG

      Mfr.#: IPS105N03LG

      OMO.#: OMO-IPS105N03LG-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
      IPS105N03LGS

      Mfr.#: IPS105N03LGS

      OMO.#: OMO-IPS105N03LGS-1190

      		 Neu und Original
      IPS105N03L G

      Mfr.#: IPS105N03L G

      OMO.#: OMO-IPS105N03L-G-126

      		 IGBT Transistors MOSFET N-Ch 30V 35A IPAK-3 OptiMOS 3
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      2500
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      Menge
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      ext. Preis
      1
      0,27 $
      0,27 $
      10
      0,25 $
      2,52 $
      100
      0,24 $
      23,88 $
      500
      0,23 $
      112,75 $
      1000
      0,21 $
      212,30 $
      Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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