DMN1008UFDF-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

U-DFN2020-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

13.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.7 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

7.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.6 ns

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.5 ns

Tags

DMN100, DMN10, DMN1, DMN