GA10JT12-247

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

GeneSiC Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

SiC

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 mOhms

Qg - Gate-Ladung:

55 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

170 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

GA10JT12

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

GeneSiC Halbleiter

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Gewichtseinheit:

0.503113 oz

Tags

GA10, GA1